旁流水處理器
水(shui)(shui)經過(guo)加熱后形成水(shui)(shui)垢，其(qi)主要(yao)成分是硬(ying)度垢，也就(jiu)是鈣(gai)、鎂離子垢。水(shui)(shui)經過(guo)旁流水(shui)(shui)處理(li)器，在(zai)脈沖低壓電場作用下使(shi)水(shui)(shui)分子排列(lie)(lie)有序(xu)，使(shi)其(qi)成垢離子間(jian)的(de)排列(lie)(lie)順序(xu)發(fa)生變化，阻(zu)止鈣(gai)鎂離子形成晶核，進而達到防垢除垢的(de)目的(de)。
實踐和研究證(zheng)明，設備及金(jin)屬管(guan)道內壁在介質為0~90℃的(de)(de)水(shui)中，腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)的(de)(de)主(zhu)要(yao)(yao)方式是(shi)電化學(xue)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)（微電池效應），次要(yao)(yao)方式是(shi)氧腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)和熱(re)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)等(deng)。因此，控制電化學(xue)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)就成了消(xiao)除(chu)(chu)黃(huang)銹(xiu)水(shui)現(xian)象、控制管(guan)網腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)的(de)(de)主(zhu)要(yao)(yao)辦法。旁流水(shui)處理器在不改(gai)變(bian)水(shui)的(de)(de)生(sheng)化屬性的(de)(de)前(qian)提下，通(tong)過脈(mo)沖低(di)壓(ya)電場(chang)改(gai)變(bian)了水(shui)分子(zi)的(de)(de)排列順(shun)序，大大降(jiang)低(di)了電導(dao)率(lv)，使(shi)電化學(xue)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)的(de)(de)通(tong)路受(shou)到(dao)抑制；另外，改(gai)變(bian)了金(jin)屬與(yu)非(fei)金(jin)屬離(li)子(zi)間的(de)(de)電位(wei)差，也使(shi)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)減弱，在完全(quan)無污染的(de)(de)情(qing)況(kuang)下，從根(gen)本上達到(dao)了根(gen)治腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)、消(xiao)除(chu)(chu)黃(huang)銹(xiu)水(shui)的(de)(de)目(mu)的(de)(de)
水中(zhong)菌(jun)藻(zao)生殖(zhi)繁(fan)殖(zhi)需要(yao)一定的(de)(de)環(huan)境，旁流水處理(li)器(qi)是利用脈沖低(di)壓電場(chang)來破(po)壞細(xi)菌(jun)的(de)(de)細(xi)胞(bao)表面(mian)、破(po)壞細(xi)菌(jun)的(de)(de)活(huo)性酶(mei)系統(tong)，停止其新陳代(dai)謝，使(shi)細(xi)菌(jun)生存環(huan)境改變，從(cong)而達(da)到殺菌(jun)滅藻(zao)的(de)(de)目的(de)(de)。
