新型光化學氣相沉積薄膜制備系統
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人氣：1732 發布時間：2009-05-08 10:53 關鍵詞：其它 產品型號： 應用領域：水處理 產品價格：面議 想了解更多產品詳情，請 |
準分子光誘(you)導(dao)化(hua)學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)的獨特(te)優點(dian)：
1、高效單色準分(fen)子(zi)紫(zi)外光源
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有(you)為高(gao)效準分子真空紫外(wai)光(guang)源提供高(gao)光(guang)強的(de)單(dan)色紫外(wai)光(guang)能有(you)效實(shi)現在傳統紫外(wai)光(guang)源下(xia)根本不(bu)能產生的(de)化學反應。
2、化學(xue)柔性和機械(xie)無損加工過程，不象等離子體方法(fa)和高溫熱方法(fa)傷(shang)害膜表(biao)面性能。
3、低(di)溫成(cheng)膜過程，化(hua)學反應(ying)活化(hua)能低(di)，具(ju)有極快(kuai)的反應(ying)速率(lv)。
4、成膜均勻，薄膜質量(liang)和性能(neng)比(bi)擬和超過熱(re)化學氣(qi)相(xiang)沉(chen)積(ji)法。
5、光源可瞬間開啟(qi)和熄滅(mie)
可根(gen)據需要(yao)(yao)發(fa)射所(suo)需光(guang)能(neng),且能(neng)隨時瞬間開啟熄滅,不需要(yao)(yao)用快(kuai)門。
6、高效節能，安裝靈(ling)活，超作簡便。
二(er)、主要技術指(zhi)標*:
1、光源腔：準(zhun)分子真空(kong)紫外（按(an)用戶要(yao)求配置(zhi)）
2、反(fan)應腔/樣品臺尺寸(cun)(cun)(cun)：2英(ying)寸(cun)(cun)(cun)或4英(ying)寸(cun)(cun)(cun)晶圓
3、極限真空度：≤7×10－7mbar（按用戶要求配(pei)置）
4、沉積溫度(du)：200-450oC
5、溫度精(jing)度：±2℃
6、膜厚均(jun)勻度(du)：≤±3％
7、工(gong)藝壓強范圍：0.1-3 mbar
8、參考生長速(su)度(du)：6 nm/min（Ta2O5膜）
9、氣體(ti)：4-10路，質量(liang)流量(liang)控制器控制
10、真空(kong)系(xi)統配置：分子泵(beng)+機械泵(beng)（可(ke)選）
11、樣品臺轉動方式：靜止/運動（可選(xuan)）
12、冷卻(que)系統：水冷
三、應用領域：
1、 用于(yu)制備半導體行業生產所須的SiO2，Si3N4薄(bo)膜。特點是成膜溫度底、速度快、薄(bo)膜質(zhi)量好。尤其適用于(yu)高性能薄(bo)膜研(yan)究(jiu)及新(xin)材料科學研(yan)究(jiu)工(gong)作。
2、Si和SiGe的光氧化。
3、高和低介電常數（high-k，low-k）薄膜的(de)制備：Ta2O5，TiO2，PZT，ZrO2，HfO2，TaON和HfON等。
4、薄膜表面改性(xing),光退(tui)火.
四、產品說明：
1、光源(yuan)腔：配置不同光源(yuan)或其組合。
1、反應(ying)物(wu)母體傳(chuan)送噴(pen)射(she)系統。
1、反應室：各(ge)種薄膜的沉積。
2、真空獲得及測量(liang)系統：提供材料(liao)沉積工藝條(tiao)件。
3、電器(qi)控(kong)制系統(tong)：精密控(kong)制溫(wen)度(du)、轉(zhuan)速。
4、氣路控制系統。
5、此設備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便等優點，配備高精度控制基片加熱臺、自動控溫、具有無污染、放氣量小和溫度均勻等特點。
